Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/10442/8039
| Εξειδίκευση τύπου : | Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό |
| Τίτλος: | Field-effect transistors with thin ZnO as active layer for gas sensor applications |
| Δημιουργός/Συγγραφέας: | Farmakis, F.V.
Speliotis, Th.
Alexandrou, K.P.
Tsamis, C.
[EL] Κομπίτσας, Μιχάλης[EN] Kompitsas, Michael G.
Fasaki, I.
Jedrasik, P.
Petersson, G.
Nilsson, B. |
| Εκδότης: | Elsevier |
| Ημερομηνία: | 2008 |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Τίτλος πηγής δημοσίευσης: | Microelectronic Engineering |
| Τόμος/Κεφάλαιο: | 85 |
| Τεύχος: | 5-6 |
| Σελίδες: | 1035-1038 |
| Θεματική Κατηγορία: | [EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistry |
| Λέξεις-Κλειδιά: | Bottom-gate FETs
Zinc oxide
Gas sensor
Pulsed laser deposition |
| Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): | Ναι |
| Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: | © 2008 Elsevier B.V. All rights reserved |
| Σημειώσεις: | This article has been published in the journal, Microelectronic Engineering [© Elsevier]. The definitive version is available at http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2008.01.040
Journal Web Location: http://www.sciencedirect.com/science/journal/01679317 |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο
|
