Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/19908
Export to:   BibTeX  | EndNote  | RIS
Εξειδίκευση τύπου : Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος: Multi-pressure structural analysis and multi-temperature electron-transport properties of the type-I clathrate Cs8Sn44
Δημιουργός/Συγγραφέας: [EL] Κελαϊδής, Νικόλαος[EN] Kelaidis, Nikolaossemantics logo
Mangelis, Panagiotis
Moutzouris, Nikolaos
Koutselas, Ioannis
Tagiara, Nagia S.
Hadjipanteli, Savvas
[EL] Κλώντζας, Εμμανουήλ[EN] Klontzas, Emmanuelsemantics logo
Daisenberger, Dominik
Oikonomopoulos, Panagiotis
Kyratsi, Theodora
[EL] Καλτζόγλου, Ανδρέας[EN] Kaltzoglou, Andreassemantics logo
Ημερομηνία: 2026
Γλώσσα: Αγγλικά
ISSN: 00223697
DOI: 10.1016/j.jpcs.2026.114081
Περίληψη: Semiconducting clathrates is a class of inclusion compounds with potential application in the field of thermoelectricity. It is known that the type-I clathrate Cs8Sn44□2 crystallizes at room temperature in the cubic space group Ia-3d (No. 230) with high ordering of the two Sn vacancies (□) in the host framework whereas above 363 K it converts to the disordered modification (space group Pm-3n, No. 223) with lower ordering of the vacancies. In the current study, high-pressure X-ray synchrotron diffraction experiments show that this clathrate structure converts upon compression to the disordered modification and also exhibits a bulk modulus of 55.4 GPa. Differential scanning calorimetry determines that the reversibility of the order-disorder phase transition depends largely on the heating-cooling rate. The hot-pressed Cs8Sn44 pellet behaves as an n-type semiconductor with a band gap of 0.33 eV and a maximum power factor of 3.56 μW cm−1 K−2 at 473 K, whereas at higher temperatures it degrades irreversibly into β-Sn, as also confirmed by Raman spectroscopy. First-principles calculations based on density functional theory were combined with Boltzmann transport theory to investigate the bulk modulus and the electron-transport properties of Cs8Sn44 using the constant relaxation time approximation. The computational results show that the electronic properties depend largely on the doping concentrations. Graphical abstract
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: Journal of Physics and Chemistry of Solids
Τόμος/Κεφάλαιο: 219
Θεματική Κατηγορία: [EL] Κρυσταλλογραφία[EN] Crystallographysemantics logo
[EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistrysemantics logo
Λέξεις-Κλειδιά: Zintl phases
Semiconducting clathrates
Defect ordering
Thermoelectric efficiency
Raman spectroscopy
Χρηματοδότης: European Union – NextGenerationEU
National Infrastructures for Research and Technology S.A. (GRNET S.A.)
Diamond Light Source
Αναγνωριστικό χρηματοδοτικού προγράμματος: 14730
pr017021
CY37935
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: © 2026 Elsevier Ltd. All rights are reserved, including those for text and data mining, AI training, and similar technologies.
Ηλεκτρονική διεύθυνση στον εκδότη (link): https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2026.114081
Εμφανίζεται στις συλλογές:Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.