Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/10442/17048
| Εξειδίκευση τύπου : | Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό |
| Τίτλος: | Extended two-temperature model for ultrafast thermal response of band gap materials upon impulsive optical excitation |
| Δημιουργός/Συγγραφέας: | Shin T.
Teitelbaum S.W.
Wolfson J.
[EL] Κάνδυλα, Μαρία[EN] Kandyla, Maria
Nelson K.A. |
| Εκδότης: | American Institute of Physics |
| Ημερομηνία: | 2015 |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| ISSN: | 0021-9606 |
| DOI: | 10.1063/1.4935366 |
| Περίληψη: | Thermal modeling and numerical simulations have been performed to describe the ultrafast thermal response of band gap materials upon optical excitation. A model was established by extending the conventional two-temperature model that is adequate for metals, but not for semiconductors. It considers the time- and space-dependent density of electrons photoexcited to the conduction band and accordingly allows a more accurate description of the transient thermal equilibration between the hot electrons and lattice. Ultrafast thermal behaviors of bismuth, as a model system, were demonstrated using the extended two-temperature model with a view to elucidating the thermal effects of excitation laser pulse fluence, electron diffusivity, electron-hole recombination kinetics, and electron-phonon interactions, focusing on high-density excitation. |
| Τίτλος πηγής δημοσίευσης: | Journal of Chemical Physics |
| Τόμος/Κεφάλαιο: | 143 |
| Τεύχος: | 19 |
| Θεματική Κατηγορία: | [EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistry |
| Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): | Ναι |
| Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: | © 2015 AIP Publishing LLC. |
| Σημειώσεις: | CHE-1111557; N00014-12-1-0530 |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο
|
Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.
